Carbura de siliciu SiC este un material semiconductor compus compus din carbon și elemente de siliciu. Este unul dintre materialele ideale pentru fabricarea dispozitivelor de înaltă temperatură, de înaltă frecvență, de mare putere și de înaltă tensiune.
Avantajele de bază ale materiilor prime din carbură de siliciu se reflectă în:
(1) Rezistență la înaltă tensiune: impedanță mai mică, bandgap mai mare, poate rezista la un curent și o tensiune mai mare, ceea ce duce la un design de produs de dimensiuni mai mici și o eficiență mai mare;
(2) Rezistență de înaltă frecvență: nu există niciun fenomen de scurgere a curentului în dispozitivele SiC în timpul procesului de oprire, ceea ce poate crește efectiv viteza de comutare a componentei (de aproximativ 3-10 ori mai mare decât SiC) și este potrivit pentru frecvențe mai mari și viteze de comutare mai mari. ;
(3) Rezistență la temperaturi ridicate: SiC are o conductivitate termică mai mare decât siliciul și poate funcționa la temperaturi mai ridicate.
În comparație cu materialul tradițional de siliciu (Si), banda interzisă a carburii de siliciu (SiC) este de 3 ori mai mare decât a siliciului; conductivitatea termică este de 4-5 ori mai mare decât cea a siliciului; tensiunea de defalcare este de 8-10 ori mai mare decât cea a siliciului; iar rata de saturație a electronilor 2-3 ori mai mare decât cea a siliciului.
