carbura de siliciu (SiC) este conductoare de electricitate, dar conductivitatea sa poate varia în funcție de dopajul său și de forma specifică a SiC. SiC este un semiconductor, ceea ce înseamnă că conductivitatea sa electrică poate fi controlată prin introducerea de impurități (doping) în structura sa cristalină.
Există diferite tipuri de cristale de SiC, cum ar fi tipul n și tipul p:
SiC de tip N: Dopajul cu elemente precum fosforul sau azotul introduce electroni suplimentari, sporindu-i conductivitatea.
SiC de tip P: Dopajul cu elemente precum aluminiu sau bor poate crea „găuri” (purtători de sarcină pozitivă) care contribuie și la conductibilitatea electrică.
